CSD85312Q3E
- 型號描述:
- MOSFET Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs
- 型號:
- CSD85312Q3E
- 品牌:
- Texas Instruments
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 2500
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$76.872 |
| 10+ | NT$48.178 |
| 100+ | NT$31.776 |
| 500+ | NT$25.187 |
| 1000+ | NT$22.389 |
| 2500+ | NT$20.476 |
| 5000+ | NT$19.696 |
| 10000+ | NT$18.988 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$76.872
數量:
合計: NT$77
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuration
- 2 N-Channel (Dual) Common Source
- FET Feature
- Logic Level Gate, 5V Drive
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 39A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 12.4mOhm @ 10A, 8V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 15.2nC @ 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2390pF @ 10V
- Power - Max
- 2.5W
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- Supplier Device Package
- 8-VSON (3.3x3.3)
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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