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CSD18536KTTT

型號描述:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 349A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT
型號:
CSD18536KTTT
品牌:
Texas Instruments
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
50
1+NT$245.141
10+NT$131.427
50+NT$131.427
100+NT$114.777
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$245.141 數量:

合計: NT$245

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200A (Ta), 349A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11430 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (DDPAK-3)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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