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TSM60NE200CIT C0G

型號描述:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ITO-220TL
MOSFET
型號:
TSM60NE200CIT C0G
品牌:
Taiwan Semiconductor Corporation
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$183.638
10+NT$121.585
100+NT$86.456
500+NT$71.465
1000+NT$66.652
2000+NT$62.607
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$183.638 數量:

合計: NT$184

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 4A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1.65mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1238 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
63W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220TL
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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