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TSM60NE069PW C0G

型號描述:
N-Channel 600 V 51A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247
600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
型號:
TSM60NE069PW C0G
品牌:
Taiwan Semiconductor Corporation
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$393.479
10+NT$272.86
300+NT$188.86
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$393.479 數量:

合計: NT$393

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 17A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 3.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3566 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
417W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
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