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TSM60NE048PW C0G

型號描述:
N-Channel 600 V 61A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247
型號:
TSM60NE048PW C0G
品牌:
Taiwan Semiconductor
交期:
8-12工作天
原廠包裝量:
300
300+NT$468.754
600+NT$466.551
900+NT$464.348
起訂量：300 倍增量：1
價格: NT$468.754 數量:

合計: NT$140626

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5023 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
431W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
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