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| 1+ | NT$370.166 |
| 10+ | NT$292.65 |
| 50+ | NT$204.462 |
| 100+ | NT$197.721 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$370.166
數量:
合計: NT$370
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 200A (Ta), 349A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.6mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 140 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 11430 pF @ 30 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 375W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- TO-263 (DDPAK-3)
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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