STPSC4G065D
- 型號描述:
-
Diode 650 V 10A Through Hole TO-220AC
650 V, 4A HIGH SURGE SILICON CAR
- 型號:
- STPSC4G065D
- 品牌:
- STMicroelectronics
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$76.567 |
| 50+ | NT$37.041 |
| 100+ | NT$33.174 |
| 500+ | NT$26.386 |
| 1000+ | NT$24.202 |
| 2000+ | NT$22.367 |
| 5000+ | NT$20.381 |
| 10000+ | NT$19.155 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$76.567
數量:
合計: NT$77
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 650 V
- Current - Average Rectified (Io)
- 10A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.45 V @ 10 A
- Speed
- Zero Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 130 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F
- 670pF @ 0V, 1MHz
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-220-2
- Supplier Device Package
- TO-220AC
- Operating Temperature - Junction
- -40°C ~ 175°C
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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- M24308/3-2F
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