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STH180N10F3-2

型號描述:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
型號:
STH180N10F3-2
品牌:
STMicroelectronics
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$201.568
10+NT$134.261
50+NT$105.347
100+NT$96.037
500+NT$86.287
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$201.568 數量:

合計: NT$202

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6665 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
315W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
H2PAK-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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