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STH12N120K5-2

型號描述:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
型號:
STH12N120K5-2
品牌:
STMicroelectronics
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$437.428
10+NT$304.105
100+NT$243.116
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$437.428 數量:

合計: NT$437

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
H2PAK-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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