SGT120R65AL
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerFlat? (5x6) HV
氮化鎵場效應管 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor
- 型號:
- SGT120R65AL
- 品牌:
- STMicroelectronics
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 15A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 120mOhm @ 5A, 6V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.6V @ 12mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 3 nC @ 6 V
- Vgs (Max)
- +6V, -10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 125 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 192W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PowerFlat™ (5x6) HV
- Package / Case
- 8-PowerVDFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
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