SCTH70N120G2V-7
- 型號描述:
- N-Channel 1200 V 90A (Tc) 469W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- 型號:
- SCTH70N120G2V-7
- 品牌:
- STMicroelectronics
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 90A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30mOhm @ 50A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 469W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.9V @ 1mA
- Supplier Device Package
- H2PAK-7
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 150 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3540 pF @ 800 V
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