SCT025H120G3AG
- 型號描述:
-
N-Channel 1200 V 55A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
- 型號:
- SCT025H120G3AG
- 品牌:
- STMicroelectronics
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$589.189 |
| 10+ | NT$418.063 |
| 100+ | NT$390.052 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$589.189
數量:
合計: NT$589
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 55A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 37mOhm @ 25A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.2V @ 5mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 73 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +18V, -5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1990 pF @ 800 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 375W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- H2PAK-7
- Package / Case
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
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