S3M0030120D
- 型號描述:
-
N-Channel 1200 V 74A (Tc) 483W (Tc) Through Hole TO-247AD
SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1
- 型號:
- S3M0030120D
- 品牌:
- SMC Diode Solutions
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$414.827 |
| 10+ | NT$286.659 |
| 300+ | NT$192.052 |
| 600+ | NT$181.148 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$414.827
數量:
合計: NT$415
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 74A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 39mOhm @ 40A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 16mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 143 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +18V, -4V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2844 pF @ 1000 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 483W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247AD
- Package / Case
- TO-247-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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