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S3M0030120B

型號描述:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount TO-263-7
SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1
型號:
S3M0030120B
品牌:
SMC Diode Solutions
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$400.657
10+NT$276.528
50+NT$223.503
350+NT$182.256
700+NT$175.256
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$400.657 數量:

合計: NT$401

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+18V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2844 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
333W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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