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RQ3N060ATTB1

型號描述:
P-Channel 80 V 6A (Ta), 18A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
型號:
RQ3N060ATTB1
品牌:
Rohm Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000+NT$20.683
6000+NT$19.33
9000+NT$18.64
15000+NT$18.326
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$20.683 數量:

合計: NT$62049

FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Ta), 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2240 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 20W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HSMT (3.2x3)
Package / Case
8-PowerVDFN
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