RD3P02BATTL1
- 型號描述:
-
P-Channel 100 V 20A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252
PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
- 型號:
- RD3P02BATTL1
- 品牌:
- Rohm Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 2500+ | NT$22.43 |
| 5000+ | NT$20.944 |
| 7500+ | NT$20.187 |
| 12500+ | NT$19.7 |
起訂量：2500
倍增量：1
價格:
NT$22.43
數量:
合計: NT$56075
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 20A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 116mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 39 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1480 pF @ 50 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 56W (Tc)
- Operating Temperature
- 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- TO-252
- Package / Case
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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