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R8002ANX

型號描述:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
型號:
R8002ANX
品牌:
Rohm Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
500+NT$57.719
起訂量：500 倍增量：1
價格: NT$57.719 數量:

合計: NT$28860

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FM
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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