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TP90H050WS

型號描述:
N-Channel 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
氮化鎵場效應管 900V, 50mOhm
型號:
TP90H050WS
品牌:
Renesas Electronics
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
30
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$0 數量:

合計: NT$0

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
980 pF @ 600 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
119W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
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