TP65H050G4YS
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-247-4L
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
- 型號:
- TP65H050G4YS
- 品牌:
- Renesas Electronics Corporation
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$370.191 |
| 30+ | NT$218.643 |
| 60+ | NT$200.559 |
| 120+ | NT$185.355 |
| 510+ | NT$160.976 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$370.191
數量:
合計: NT$370
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 60mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.8V @ 700µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 24 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1000 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 132W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-247-4L
- Package / Case
- TO-247-4
- 精選品牌
- 熱銷產品
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- LTC7891RUFDM#PBF
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