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| 1+ | NT$4.418 |
| 300+ | NT$4.107 |
| 500+ | NT$3.535 |
| 1000+ | NT$3.119 |
| 4000+ | NT$2.755 |
| 10000+ | NT$2.703 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$4.418
數量:
合計: NT$4
- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 230mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.3Ohm @ 230mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 100µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 34 pF @ 30 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 200mW (Ta)
- Operating Temperature
- 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- SST3
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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