QSD6HCS65U
- 型號描述:
-
Diode 650 V 21A Through Hole TO-247-2
650v 6amp SiC Schottky Barrier D
- 型號:
- QSD6HCS65U
- 品牌:
- Quest Semi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 50+ | NT$9.565 |
| 100+ | NT$8.856 |
| 1000+ | NT$7.085 |
起訂量：50
倍增量：1
價格:
NT$9.565
數量:
合計: NT$478
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 650 V
- Current - Average Rectified (Io)
- 21A
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.6 V @ 6 A
- Speed
- Zero Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 15 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F
- 421pF @ 0V, 1MHz
- Grade
- Automotive
- Qualification
- AEC-Q101
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-247-2
- Supplier Device Package
- TO-247-2
- Operating Temperature - Junction
- -55°C ~ 175°C
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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