QSD12HCS65U
- 型號描述:
-
Diode 650 V Through Hole TO-247-3L
SiC Homogeneous Schottky Barrier
- 型號:
- QSD12HCS65U
- 品牌:
- Quest Semi
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 50+ | NT$67.308 |
| 100+ | NT$66.245 |
| 500+ | NT$58.451 |
| 1000+ | NT$56.68 |
| 2000+ | NT$56.326 |
起訂量：50
倍增量：1
價格:
NT$67.308
數量:
合計: NT$3365
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 650 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.6 V @ 12 A
- Speed
- Zero Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 30 µA @ 650 V
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-247-3
- Supplier Device Package
- TO-247-3L
- Operating Temperature - Junction
- -55°C ~ 175°C
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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- M6-21-427
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