MMDT5551_R1_00701
- 型號描述:
- 雙極結晶體管 - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, 160 V, 200 mW
- 型號:
- MMDT5551_R1_00701
- 品牌:
- Panjit
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- Transistor Type
- 2 NPN
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 600mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 160V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 200mV @ 5mA, 50mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 50nA (ICBO)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 10mA, 5V
- Power - Max
- 200mW
- Frequency - Transition
- 300MHz
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Supplier Device Package
- SOT-363
- 精選品牌
- 熱銷產品
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