WNE10KFET
- 型號描述:
-
10 kOhms ±1% 5W Through Hole Resistor Axial Non-Inductive Wirewound
- 型號:
- WNE10KFET
- 品牌:
- Ohmite
- 交期:
- 7-12工作天
- 原廠包裝量:
- 500
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 250+ | NT$55.209 |
| 500+ | NT$54.043 |
| 1000+ | NT$52.876 |
| 2500+ | NT$51.356 |
| 5000+ | NT$50.19 |
| 7500+ | NT$49.531 |
起訂量：250
倍增量：1
價格:
NT$55.209
數量:
合計: NT$13802
- Resistance
- 10 kOhms
- Tolerance
- ±1%
- Power (Watts)
- 5W
- Composition
- Wirewound
- Features
- Non-Inductive
- Temperature Coefficient
- ±20ppm/°C
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C
- Package / Case
- Axial
- Supplier Device Package
- Axial
- Size / Dimension
- 0.295" Dia x 0.787" L (7.50mm x 20.00mm)
- Height - Seated (Max)
- -
- Number of Terminations
- 2
- Failure Rate
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
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- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
- M6-21-427
- 10169891-453001SLF
- AFB0924SH-AF00
- MS27473T12F98PA
- ASL5115SHNZ
- 4922R-08L
- RJFC2ZN
- HCPL-4502-500E
- EEU-FS1A821B
- CRCW1210105RFKEA
- LQM21PN2R2MGSD
- 1SMB3EZ24_R1_00001
- DN01508D
- RC0805FR-0726K7L
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- FDA117GRTR
- MP1653AGTF-Z
- DUA55CM44
- RT6263BHGJ8F
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