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UG3SC120009K4S

型號描述:
N-Channel 1200 V 120A (Tc) 789W (Tc) Through Hole TO-247-4
型號:
UG3SC120009K4S
品牌:
ONSEMI
交期:
7-12工作天
原廠包裝量:
1
1+NT$3246.076
5+NT$2998.948
10+NT$2751.819
50+NT$2504.691
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$3246.076 數量:

合計: NT$3246

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.7V @ 320mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8157 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
789W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-4
Package / Case
TO-247-4
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