MMBT5550LT1G
- 型號描述:
-
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
- 型號:
- MMBT5550LT1G
- 品牌:
- ON Semiconductor
- 交期:
- 6-9工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 3000+ | NT$1.383 |
| 6000+ | NT$1.279 |
| 9000+ | NT$1.268 |
| 15000+ | NT$1.191 |
| 21000+ | NT$1.131 |
| 30000+ | NT$1.07 |
| 75000+ | NT$0.944 |
| 150000+ | NT$0.867 |
| 300000+ | NT$0.801 |
起訂量：3000
倍增量：1
價格:
NT$1.383
數量:
合計: NT$4149
- Transistor Type
- NPN
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 600 mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 140 V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 250mV @ 5mA, 50mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 100nA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 60 @ 10mA, 5V
- Power - Max
- 225 mW
- Frequency - Transition
- -
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Supplier Device Package
- SOT-23-3 (TO-236)
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