- FET Type
- N-Channel
- Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
- 35 V
- Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
- 20 mA @ 15 V
- Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
- 3 V @ 1 µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- -
- Resistance - RDS(On)
- 30 Ohms
- Power - Max
- 625 mW
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Through Hole
- Package / Case
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- Supplier Device Package
- TO-92-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
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- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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