PDTC115EMB,315
- 型號描述:
-
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
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- 型號:
- PDTC115EMB,315
- 品牌:
- Nexperia
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 10000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$11.995 |
| 10+ | NT$6.88 |
| 100+ | NT$4.198 |
| 500+ | NT$3.034 |
| 1000+ | NT$2.646 |
| 2500+ | NT$2.328 |
| 5000+ | NT$1.976 |
| 10000+ | NT$1.976 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$11.995
數量:
合計: NT$12
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 20 mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 50 V
- Resistors Included
- R1 and R2
- Resistor - Base (R1)
- 100 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 100 kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 5mA, 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 150mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 1µA
- Frequency - Transition
- 230 MHz
- Power - Max
- 250 mW
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- SC-101, SOT-883
- Supplier Device Package
- DFN1006B-3
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- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
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