PEMH1,115
- 型號描述:
-
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
- 型號:
- PEMH1,115
- 品牌:
- NXP USA Inc.
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 4000+ | NT$2.161 |
| 8000+ | NT$1.949 |
| 12000+ | NT$1.84 |
| 20000+ | NT$1.718 |
| 28000+ | NT$1.646 |
| 40000+ | NT$1.576 |
| 100000+ | NT$1.447 |
起訂量：4000
倍增量：1
價格:
NT$2.161
數量:
合計: NT$8644
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- SOT-563, SOT-666
- Mounting Type
- Surface Mount
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Power - Max
- 300mW
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 150mV @ 500µA, 10mA
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 1µA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 60 @ 5mA, 5V
- Frequency - Transition
- -
- Resistor - Base (R1)
- 22kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 22kOhms
- Supplier Device Package
- SOT-666
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- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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