2N7000
- 型號描述:
-
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
- 型號:
- 2N7000
- 品牌:
- NTE Electronics
- 交期:
- 7-12工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 50+ | NT$24.336 |
| 500+ | NT$19.644 |
| 1000+ | NT$19.351 |
| 2500+ | NT$18.178 |
| 5000+ | NT$17.397 |
| 7500+ | NT$17.152 |
| 10000+ | NT$16.908 |
| 15000+ | NT$16.664 |
起訂量：50
倍增量：1
價格:
NT$24.336
數量:
合計: NT$1217
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 200mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3V @ 1mA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 50 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 400mW (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-92-3
- Package / Case
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
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