- FET Type
- P-Channel
- Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
- 30 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30 V
- Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
- 30 mA @ 18 V
- Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
- 5 V @ 1 nA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 25pF @ 15V
- Resistance - RDS(On)
- 75 Ohms
- Power - Max
- 500 mW
- Operating Temperature
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Grade
- Military
- Qualification
- MIL-PRF-19500
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 3-SMD, No Lead
- Supplier Device Package
- UB
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
- M6-21-427
- 10169891-453001SLF
- AFB0924SH-AF00
- MS27473T12F98PA
- ASL5115SHNZ
- 4922R-08L
- RJFC2ZN
- HCPL-4502-500E
- EEU-FS1A821B
- CRCW1210105RFKEA
- LQM21PN2R2MGSD
- 1SMB3EZ24_R1_00001
- DN01508D
- RC0805FR-0726K7L
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- FDA117GRTR
- MP1653AGTF-Z
- DUA55CM44
- RT6263BHGJ8F
- SD24C-7
- RC0402FR-0736K5P
- 431256083726
- RG2012P-101-B-T5
- 猜你喜歡
- MQ2N5114
- MQ2N5114UB/TR
- MQ2N5116UB/TR
- MQ2N5116UB
- MQ2N2608UB/TR
- MQ2N2608UB
- MQ2N2608
- MQ2N4858
- MQ2N2609
- MQ2N4860UB
- MQ2N4860
- MQ2N4860UB/TR
- MQ2N4858UB
- MQ2N4858UB/TR
- MQ2N4857UB/TR
- MQ2N4857UB
- MQ2N5116
- MQ2N4393UB/TR
- MQ2N4393
- MQ2N4393UB
- 資訊中心
- onsemi 推出基於第七代 IGBT 的智慧功率模組，以降低加熱和冷卻能耗
- 2024-03-16
- Samtec 開設新台灣設計中心
- 2023-11-13
- TI 利用 SiC 柵極驅動器幫助最大限度地提高電動汽車的行駛里程
- 2023-08-12
- 新型 TE Connectivity 連接器幫助汽車 OEM 減小組件尺寸和重量
- 2022-10-09
- TDK 為 ADAS/AD 電源管理提供極其緊湊和可靠的 CLT 功率電感器
- 2022-08-13
- 意法半導體觸控控制器支持新一代AMOLED節能顯示器
- 2022-07-03
- ADI 公司的無線電池管理系統獲得頂級汽車網絡安全認證
- 2022-04-09
- 通過 Samtec 和 SnapEDA 提供 20 萬多個互連符號和封裝
- 2021-11-13
- TE Connectivity 的新型可插拔連接器滿足了照明應用的市場需求
- 2021-07-04
- 意法半導體的低電容汽車瞬態電壓抑制器為高速接口提供保護
- 2021-05-30
- ROHM新型600V IGBT IPM提供領先的低噪聲，低損耗
- 2021-05-08
- Littelfuse收購Hartland Controls
- 2021-04-05
- Molex推出了汽車主動降噪中的重大傳感器創新，以改善安全性和駕駛體驗
- 2021-02-24
