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| 2500+ | NT$8.377 |
| 5000+ | NT$8.271 |
| 7500+ | NT$8.218 |
| 10000+ | NT$8.165 |
| 12500+ | NT$8.059 |
起訂量：2500
倍增量：1
價格:
NT$8.377
數量:
合計: NT$20942
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 3A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 105mOhm @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6 nC @ 4.5 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 247 pF @ 30 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 1.2W
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- SOT-223
- Package / Case
- TO-261-4, TO-261AA
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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- PJW8N03_R2_00001
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