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SPW20N60C3FKSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
型號:
SPW20N60C3FKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$174.422
30+NT$97.752
120+NT$80.816
510+NT$74.579
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$174.422 數量:

合計: NT$174

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Package / Case
TO-247-3
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