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SPD06N80C3ATMA1

型號描述:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
型號:
SPD06N80C3ATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$90.334
10+NT$44.281
100+NT$38.259
500+NT$31.705
1000+NT$30.147
2500+NT$27.419
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$90.334 數量:

合計: NT$90

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3.8A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 100 V
Qualification
-
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