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ISC0802NLSATMA1

型號描述:
型號:
ISC0802NLSATMA1
品牌:
Infineon
交期:
6-10工作天
原廠包裝量:
2
10+NT$96.004
100+NT$94.244
250+NT$92.548
500+NT$90.852
起訂量：10 倍增量：1
價格: NT$96.004 數量:

合計: NT$960

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 92µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5190 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
Package / Case
8-PowerTDFN
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