ISC026N03L5SATMA1
- 型號描述:
- MOSFET TRENCH<= 40V
- 型號:
- ISC026N03L5SATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 5000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$31.7363 |
| 10+ | NT$25.9009 |
| 100+ | NT$19.1441 |
| 500+ | NT$16.0046 |
| 1000+ | NT$12.1485 |
| 2500+ | NT$12.1144 |
| 5000+ | NT$11.4319 |
| 10000+ | NT$10.6129 |
| 25000+ | NT$10.5105 |
起訂量：1倍增量：1
價格:NT$31.7363數量:
合計:NT$32
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 8-PowerTDFN
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 24A (Ta), 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.6mOhm @ 30A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 2.5W (Ta), 48W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Supplier Device Package
- PG-TDSON-8-6
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 26 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1700 pF @ 15 V
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