IRF640NLPBF
- 型號描述:
-
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
- 型號:
- IRF640NLPBF
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$72.447 |
| 50+ | NT$38.572 |
| 100+ | NT$35.059 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$72.447
數量:
合計: NT$72
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 200 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 150mOhm @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 67 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1160 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 150W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-262
- Package / Case
- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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