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IQE006NE2LM5CGSCATMA1

型號描述:
N-Channel 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-WHTFN-9-1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
型號:
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$138.512
10+NT$90.298
50+NT$69.589
100+NT$62.915
500+NT$51.215
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$138.512 數量:

合計: NT$139

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Ta), 310A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5453 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-WHTFN-9-1
Package / Case
9-PowerWDFN
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