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IQD009N06NM5CGATMA1

型號描述:
N-Channel 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
型號:
IQD009N06NM5CGATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$138.027
10+NT$104.378
25+NT$95.946
100+NT$86.692
250+NT$84.351
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$138.027 數量:

合計: NT$138

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Ta), 445A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 163µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 333W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TTFN-9-U02
Package / Case
9-PowerTDFN
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