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IPT017N12NM6ATMA1

型號描述:
MOSFET TRENCH >=100V
型號:
IPT017N12NM6ATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2000
1+NT$199.6722
10+NT$136.2312
100+NT$102.1734
500+NT$97.4988
2000+NT$80.8038
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$199.6722 數量:

合計: NT$200

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Ta), 331A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 60 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 395W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HSOF-8
Package / Case
8-PowerSFN
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