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IPS65R1K0CEAKMA2

型號描述:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
型號:
IPS65R1K0CEAKMA2
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1500+NT$12.8
起訂量：1500 倍增量：1
價格: NT$12.8 數量:

合計: NT$19200

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3-342
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPAK
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