IPN60R2K1CEATMA1
- 型號描述:
-
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
- 型號:
- IPN60R2K1CEATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 3.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.1Ohm @ 800mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 60µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.7 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 140 pF @ 100 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 5W (Tc)
- Operating Temperature
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-SOT223-3
- Package / Case
- TO-261-4, TO-261AA
- 精選品牌
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