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IPN60R1K5CEATMA1

型號描述:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
型號:
IPN60R1K5CEATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$29.757
10+NT$18.563
50+NT$13.603
100+NT$11.991
500+NT$9.153
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$29.757 數量:

合計: NT$30

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-3
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
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