IPL60R065P7AUMA1
- 型號描述:
- MOSFET HIGH POWER_NEW
- 型號:
- IPL60R065P7AUMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$208.971 |
| 10+ | NT$144.594 |
| 100+ | NT$111.564 |
| 500+ | NT$104.148 |
| 1000+ | NT$95.385 |
| 3000+ | NT$94.037 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$208.971
數量:
合計: NT$209
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 41A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 65mOhm @ 15.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 800µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 67 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 2895 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 201W (Tc)
- Operating Temperature
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-VSON-4
- Package / Case
- 4-PowerTSFN
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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