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IPI60R165CPXKSA1

型號描述:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
HIGH POWER_LEGACY
型號:
IPI60R165CPXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$183.856
10+NT$121.897
50+NT$95.279
100+NT$86.706
500+NT$71.69
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$183.856 數量:

合計: NT$184

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
192W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
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