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首頁 > Infineon Technologies代理商 > IPI60R125CPXKSA1
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IPI60R125CPXKSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
型號:
IPI60R125CPXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$197.77
50+NT$104.385
100+NT$95.362
500+NT$79.566
1000+NT$79.181
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$197.77 數量:

合計: NT$198

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
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