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IPI50N12S3L15AKSA1

型號描述:
N-Channel 120 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
MOSFET N-CHANNEL_100+
型號:
IPI50N12S3L15AKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
245+NT$43.218
起訂量：245 倍增量：1
價格: NT$43.218 數量:

合計: NT$10588

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
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