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IPD30N10S3L34ATMA1

型號描述:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
型號:
IPD30N10S3L34ATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$79.352
10+NT$50.693
50+NT$38.245
100+NT$34.228
500+NT$27.168
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$79.352 數量:

合計: NT$79

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 29µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1976 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
57W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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