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IPB035N10NF2SATMA1

型號描述:
MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V
型號:
IPB035N10NF2SATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
800
1+NT$113.36
10+NT$56.326
100+NT$51.012
500+NT$38.968
800+NT$38.613
2400+NT$37.196
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$113.36 數量:

合計: NT$113

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 151A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 113µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 214W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-8
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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