IMYH200R100M1HXKSA1
- 型號描述:
-
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
SIC DISCRETE
- 型號:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$644.026 |
| 30+ | NT$398.838 |
| 60+ | NT$369.695 |
| 120+ | NT$345.193 |
| 510+ | NT$324.661 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$644.026
數量:
合計: NT$644
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 2000 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 26A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 131mOhm @ 10A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.5V @ 6mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 55 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +20V, -7V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 217W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO247-4-U04
- Package / Case
- TO-247-4
- 精選品牌
- 熱銷產品
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